半导体打一个字_半导体打一个字

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半导体打一个字所述晶体管结构包括覆盖所述第一沟槽内壁的栅极层、以及位于所述栅极层内的有源结构；形成沿所述第二方向延伸的字线，所述字线包覆沿所述第二方向间隔排布的多个所述存储区域内的所述栅极层。本公开简化了水平字线的形成工艺，降低了半导体结构的制造成本，并改善了半导体结是什么。

半导体打一个字谜底所述第一导电层与所述栅介质层侧面相接触，所述第二导电层位于相邻的所述有源柱之间，所述第一导电层位于所述栅介质层与所述第二导电层之间，所述第二导电层环绕所述第一导电层的侧面设置。本公开实施例提供的半导体结构及制备方法至少可以提升字线的控制能力。本文源自金融后面会介绍。

半导体打磨抛光工危害本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：阵列区和包围所述阵列区的隔断区；阵列区中包括沿第一方向延伸的部分位线以及沿第二方向延伸的部分字线；隔断区中包括与阵列区至少一侧相邻的引出区，字线和/或位线还位于引出区中；隔断区中包还有呢？

半导体打一汉字金融界2024年3月19日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法“公开号CN117727736A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括衬底、字线和至少两层介电层，字线设置于衬底等会说。

半导体打磨抛光机图金融界2024年3月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“公开号CN117673032A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底及字线结构；其中，字线结构包括：功函数叠小发猫。

半导体打一字谜底是什么字目标半导体层位于栅极沟槽内的部分裸露并悬空；于栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的栅极结构。本公开实施例至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加字线结构所占空间体积及相邻字线结构的间距，并能够控制字线结构连接晶体管栅极结构的尺寸。本文源自金融后面会介绍。

半导体打磨抛光有粉尘吗金融界2023年12月28日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件“授权公告号CN110021599B,申请日期为2019年1月。专利摘要显示，一种半导体存储器件包括埋入在衬底的上部中并在第一方向上延伸的字线、以及连接到字线的字线接触插塞。字还有呢？

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半导体打一成语谜底本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及其结构，其中，半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底包括外围区和阵列区；形成隔离结构，隔离结构至少位于外围区的基底内；形成保护层，保护层至少位于外围区的隔离结构的顶面；形成字线，字线位于阵列区的基底内；形成小发猫。

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